MI40N30

型号:MI40N30

厂商:M

批号:22+

封装:TO-252

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MI5001-18 5.1 GHz - 5.4 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
MI5003-18 9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
MI5004-18 9.1 GHz - 9.5 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
MI5022-18 9.5 GHz - 10.2 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE IMPATT DIODE
MIAA10WB600TMH MODULE IGBT CBI
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