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K4N60LV+MOS(场效应管)

型号：K4N60LV+MOS(场效应管)

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K4S280432M-TC80 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54

K4S280832M-TC1L0 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54

K4S281632D-TI7C 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54

K4S281632D-TP7C 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54

K4T1G044QC-ZCLE6 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60

K4T56163QI-ZLD50 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84

K50-3C0E32MR CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 32 MHz, CMOS OUTPUT

K50-3C0E35.3280MR CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 35.328 MHz, CMOS OUTPUT

K50-3C0E40MR CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 40 MHz, CMOS OUTPUT

K50-3C0SE14.31818MR OSCILLATOR 14.31818MHZ SMD

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