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CGD982HCI,112

型号：CGD982HCI,112

厂商：NXP Semiconductors

批号：16+

封装：标准封装

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CGD985HCI 1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
CGD987HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
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